IGBT，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOSFET(絕緣柵場效應晶體管)組成的復合全控壓驅動功率半導體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降的優點。由于這個原因，IGBT被廣泛使用。主要用于實現電壓、頻率、直流交流轉換等功能，俗稱電力電子裝置的“CPU”，廣泛應用于光伏/風電設備、新能源汽車、家電、儲能、軌道交通、電網、航空航天等領域。

成果歸屬：合作研發的管理機制，成果歸屬是否存在糾紛或潛在糾紛；

合作原因及權利義務：合作研發的背景及原因，合作協議的主要內容，合作雙方權利義務劃分，發行人采取的保密措施，合作研發的費用與支付情況；

是否涉及技術依賴：委托研發的分工及各自發揮的作用，授權發行人使用研發成果的期限、是否為獨占許可，在發行人核心技術、產品中的運用情況，發行人是否存在技術依賴，相關技術的委托研發是否屬于行業慣例；核心技術是否存在重大依賴；

是否涉及虛增研發費用情形：合作研發的合理性及必要性，合作方是否為關聯方。

核心技術保護措施：發行人的核心技術是否取得專利或其他技術保護措施、核心技術的科研實力和成果情況；未取得新的發明專利的原因，是否存在相關技術水平處于瓶頸或重大技術難題無法突破的情況；

是否擁有健全的研發體系：主要核心技術的取得時間，報告期內研發投入占營業收入的比例變化情況，發行人是否擁有高效的研發體系，是否具備持續創新能力，保持技術不斷創新的機制是否有效；

在研項目詳細情況：在研項目的項目名稱、項目介紹、研發目標及主要方向、所處階段、開發周期、應用前景、技術儲備及技術創新等，與行業發展趨勢的對比。

1、是否存在糾紛及潛在糾紛：知識產權是否存在權屬糾紛；知識產權是否存在權利限制；知識產權是否存在到期注銷、終止、宣布無效等異常情況；

2、重點關注受讓取得專利：知識產權是否存在受讓取得的情況，受讓取得的發明專利來源、原權利人基本情況、受讓取得的原因、定價依據及公允性；知識產權是否存在侵權使用的情況；

3、海外專利情況：海外專利的取得是否存在障礙，境內取得的發明專利是否可以在海外進行相同發明專利的申請和注冊，海外注冊是否會侵犯國際競爭對手的相關知識產權等情況；

4、若存在異常需量化影響：知識產權異常狀態對生產經營的影響。