IGBT企業(yè)——IPO審核要點(diǎn)（1）
IGBT，又稱絕緣柵雙極晶體管，是由BJT(雙極晶體管)和MOSFET(絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管)組成的復(fù)合全控壓驅(qū)動(dòng)功率半導(dǎo)體器件。它具有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降的優(yōu)點(diǎn)。由于這個(gè)原因，IGBT被廣泛使用。主要用于實(shí)現(xiàn)電壓、頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等功能，俗稱電力電子裝置的“CPU”，廣泛應(yīng)用于光伏/風(fēng)電設(shè)備、新能源汽車、家電、儲(chǔ)能、軌道交通、電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域。
IGBT的特點(diǎn)
IGBT行業(yè)特點(diǎn)：產(chǎn)品周期長(zhǎng)，價(jià)格穩(wěn)定，具有較高行業(yè)壁壘，與集成電路相比，IGBT具有以下幾大特點(diǎn)：
1、應(yīng)用端主導(dǎo)，產(chǎn)品更新?lián)Q代較慢 2、IGBT的價(jià)格相對(duì)穩(wěn)定 3、對(duì)制造可靠性和質(zhì)量穩(wěn)定性要求較高，制程要求相對(duì)較低，更適合IDM模式 4、行業(yè)壁壘較高，產(chǎn)品穩(wěn)定性需要長(zhǎng)時(shí)間驗(yàn)證 隨著新能源等應(yīng)用領(lǐng)域的進(jìn)一步發(fā)展，IGBT市場(chǎng)將呈現(xiàn)更為強(qiáng)勁的增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，預(yù)計(jì)到2025年中國(guó)IGBT行業(yè)市場(chǎng)規(guī)?？蛇_(dá)522億元，2019至2025年間復(fù)合增長(zhǎng)率將高達(dá)19.96%。
IGBT行業(yè)的下游應(yīng)用整體擁有良好的市場(chǎng)前景，其中新能源汽車領(lǐng)域的預(yù)期增長(zhǎng)最為強(qiáng)烈，預(yù)計(jì)2020-2024年間年均復(fù)合增長(zhǎng)率可超過16%；新能源發(fā)電亦有較高的增長(zhǎng)預(yù)期，年復(fù)合增長(zhǎng)率約11%。
具體到A股IGBT領(lǐng)域的上市公司（擬上市公司），主要參與者包括著重從事IGBT業(yè)務(wù)的斯達(dá)半導(dǎo)、宏微科技，分立器件龍頭士蘭微，向高端IGBT轉(zhuǎn)型的傳統(tǒng)功率半導(dǎo)體廠商華微科技、臺(tái)基股份等企業(yè)，以及產(chǎn)業(yè)鏈下游進(jìn)軍IGBT領(lǐng)域的比亞迪半導(dǎo)體等企業(yè)。
A股半導(dǎo)體上市公司在發(fā)行及上市后均有較好的市盈率表現(xiàn)，具體如下表所示：
半導(dǎo)體企業(yè)IPO審核重點(diǎn)關(guān)注問題——核心技術(shù)先進(jìn)性
1、核心技術(shù)是否具備先進(jìn)性：核心技術(shù)迭代周期、目前國(guó)內(nèi)外的最高技術(shù)水平和主流技術(shù)水平以及未來的技術(shù)進(jìn)展方向，發(fā)行人與目前最高技術(shù)的差距、針對(duì)差距擬采取的措施及可行性；
2、如何保障核心技術(shù)先進(jìn)性：行業(yè)的技術(shù)迭代較快，如何保證相關(guān)技術(shù)的先進(jìn)性；
3、是否僅為行業(yè)共性技術(shù)：核心技術(shù)屬于行業(yè)共性技術(shù)還是公司特有技術(shù)，若是特有技術(shù)，披露核心技術(shù)的獨(dú)特性和突破點(diǎn)；
4、目前核心技術(shù)的先進(jìn)性：核心技術(shù)的技術(shù)特點(diǎn)、技術(shù)路線、優(yōu)劣勢(shì)、技術(shù)壁壘、指標(biāo)或參數(shù)、開發(fā)難度、研發(fā)費(fèi)用等，對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品、創(chuàng)收情況及市場(chǎng)占有率，分析發(fā)行人的核心技術(shù)是否具備先進(jìn)性。
